WEKO3
アイテム
低エネルギー原子衝突における電子的阻止能のZ依存性
https://ous.repo.nii.ac.jp/records/970
https://ous.repo.nii.ac.jp/records/970fa8d7880-29bd-4c83-a766-5f38a56b84e0
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00000063522.pdf (335.5 kB)
|
|
| Item type | 紀要論文(ELS) / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 1993-03-20 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 低エネルギー原子衝突における電子的阻止能のZ依存性 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | The Z-Dependence of the Electronic Stopping Power for Low Energy Atomic Collisions | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | テイエネルギー ゲンシ ショウトツ ニオケル デンシテキ ソシノウ ノ Z イゾンセイ | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||
| ページ属性 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | P(論文) | |||||||||||||||||||||||
| 著者名 |
中川, 幸子
× 中川, 幸子
× 竹内, 智子
× 大石, 勝己
|
|||||||||||||||||||||||
| 著者所属(日) | ||||||||||||||||||||||||
| ja | ||||||||||||||||||||||||
| 岡山理科大学理学部応用物理学科 | ||||||||||||||||||||||||
| 著者所属(日) | ||||||||||||||||||||||||
| ja | ||||||||||||||||||||||||
| 岡山理科大学理学部応用物理学科 | ||||||||||||||||||||||||
| 著者所属(日) | ||||||||||||||||||||||||
| ja | ||||||||||||||||||||||||
| 岡山理科大学理学部応用物理学科 | ||||||||||||||||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||||||||||||||||
| en | ||||||||||||||||||||||||
| Department of Applied Physics, Okayama University of Science | ||||||||||||||||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||||||||||||||||
| en | ||||||||||||||||||||||||
| Department of Applied Physics, Okayama University of Science | ||||||||||||||||||||||||
| 著者所属(英) | ||||||||||||||||||||||||
| en | ||||||||||||||||||||||||
| Department of Applied Physics, Okayama University of Science | ||||||||||||||||||||||||
| 抄録(英) | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | We have examined the electron tranfer process for low energy ions Z_1 implanted into silicon, with much less velocity than the Fermi velocity. The polarization effect on the outermost orbitals was the main concern. This effect elevated the transfer probability as about 3 times as compared to the case neglecting it. This encourages Z_1-rang-oscillation observed at 0.01<ε<0.1. | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||
| 雑誌書誌ID | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AN00033244 | |||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 岡山理科大学紀要. A, 自然科学 en : Bulletin of Okayama University of Science. A, Natural Sciences 巻 28, p. 59-65, 発行日 1993-03-20 |
|||||||||||||||||||||||
